APT5010LFLLG Microchip Technology
![APT5010%28B2%2CL%29FLL.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 46A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1220.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT5010LFLLG Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 46A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-264 [L], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT5010LFLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT5010LFLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT5010LFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 46A; Idm: 184A; 520W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT5010LFLLG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT5010LFLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
APT5010LFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 46A; Idm: 184A; 520W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |