APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 113A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
Description: IGBT PT 1200V 113A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns
Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off)
Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A
Power - Max: 625 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1444.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT45GP120B2DQ2G Microchip Technology
Description: IGBT PT 1200V 113A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/100ns, Switching Energy: 900µJ (on), 905µJ (off), Test Condition: 600V, 45A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 113 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 170 A, Power - Max: 625 W.
Інші пропозиції APT45GP120B2DQ2G за ціною від 1349.95 грн до 1977.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
 IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max Mounting: THT Case: T-Max Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 54A Pulsed collector current: 170A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 230ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 625W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 185nC Technology: POWER MOS 7®; PT |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max Mounting: THT Case: T-Max Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 54A Pulsed collector current: 170A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 230ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 625W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 185nC Technology: POWER MOS 7®; PT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
 |
APT45GP120B2DQ2G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 113A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товару немає в наявності |