APT40GR120B2D30 Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns
Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 684.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT40GR120B2D30 Microchip Technology
Description: IGBT NPT 1200V 88A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/163ns, Switching Energy: 1.38mJ (on), 906µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 88 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 500 W.
Інші пропозиції APT40GR120B2D30 за ціною від 634.36 грн до 743.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT40GR120B2D30 | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 40 A TO-247 MAX |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
| APT40GR120B2D30 | Виробник : MICROSEMI |
TO-247-3/Ultra Fast NPT - IGBT APT40GR120 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
 |
APT40GR120B2D30 | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 88A 500W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|||||||
 |
APT40GR120B2D30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max Mounting: THT Power dissipation: 500W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.21µC Technology: NPT; POWER MOS 8® Part status: Not recommended for new designs Case: T-Max Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 232ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
APT40GR120B2D30 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max Mounting: THT Power dissipation: 500W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.21µC Technology: NPT; POWER MOS 8® Part status: Not recommended for new designs Case: T-Max Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 47ns Turn-off time: 232ns Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |