Технічний опис APT4014BVFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A, Polarisation: unipolar, Mounting: THT, Power dissipation: 300W, Gate charge: 160nC, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 112A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 28A, On-state resistance: 0.14Ω, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції APT4014BVFRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT4014BVFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) | APT4014BVFRG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
| APT4014BVFRG | Виробник : Microchip / Microsemi | MOSFET FG, FREDFET, 400V, TO-247, RoHS |
товару немає в наявності |
||
 |
APT4014BVFRG | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 400V; 28A; Idm: 112A Polarisation: unipolar Mounting: THT Power dissipation: 300W Gate charge: 160nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 112A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 400V Drain current: 28A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |