APT39F60J Microsemi


APT39F60J_D-601614.pdf Виробник: Microsemi
Discrete Semiconductor Modules Power FREDFET - MOS8
на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT39F60J Microsemi

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 210A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 26A, On-state resistance: 0.11Ω, Power dissipation: 480W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT39F60J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT39F60J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6994-apt39f60j-d-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT39F60J APT39F60J Виробник : Microchip Technology 7911026692669076994-apt39f60j-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 42A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT39F60J APT39F60J Виробник : Microsemi Power Products Group 6994-apt39f60j-d-pdf Description: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
товар відсутній
APT39F60J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6994-apt39f60j-d-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 26A; ISOTOP; screw; Idm: 210A; 480W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 210A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
товар відсутній