APT38F50J

APT38F50J Microsemi Power Products Group


6985-apt38f50j-d-pdf Виробник: Microsemi Power Products Group
Description: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT38F50J Microsemi Power Products Group

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 500V; 24A; ISOTOP; screw; Idm: 175A; 355W, Mechanical mounting: screw, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 175A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 24A, On-state resistance: 0.1Ω, Power dissipation: 355W, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT38F50J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT38F50J APT38F50J Виробник : Microsemi APT38F50J_D-598419.pdf MOSFET Power FREDFET - MOS8
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
APT38F50J APT38F50J Виробник : Microchip Technology 7911289682561196985-apt38f50j-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 38A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT38F50J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6985-apt38f50j-d-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 24A; ISOTOP; screw; Idm: 175A; 355W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 175A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 355W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT38F50J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6985-apt38f50j-d-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 24A; ISOTOP; screw; Idm: 175A; 355W
Mechanical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 175A
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 355W
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhanced
товар відсутній