APT34M120J Microsemi Power Products Group
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT34M120J Microsemi Power Products Group
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 22A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw, Case: ISOTOP, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 22A, On-state resistance: 290mΩ, Semiconductor structure: single transistor, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Technology: POWER MOS 8®, Power dissipation: 960W, Pulsed drain current: 195A, Gate-source voltage: ±30V, Type of module: MOSFET transistor.
Інші пропозиції APT34M120J
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT34M120J | Виробник : Microsemi |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
APT34M120J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT34M120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 22A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw Case: ISOTOP Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 290mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 8® Power dissipation: 960W Pulsed drain current: 195A Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |
||
APT34M120J | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT34M120J | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT34M120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 22A; ISOTOP; Ugs: ±30V; screw Case: ISOTOP Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 22A On-state resistance: 290mΩ Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: POWER MOS 8® Power dissipation: 960W Pulsed drain current: 195A Gate-source voltage: ±30V Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |