на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1033.34 грн |
| 100+ | 879.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT34F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 124A, Power dissipation: 624W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: THT, Gate charge: 165nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT34F60B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT34F60B | Виробник : Microchip / Microsemi |
 MOSFET FG, FREDFET, 600V, TO-247 |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT34F60B | Виробник : Microsemi Power Products Group |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
APT34F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 124A Power dissipation: 624W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
APT34F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 124A; 624W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 124A Power dissipation: 624W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |