APT34F100L Microchip Technology
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1818.75 грн |
| 500+ | 1548.38 грн |
| 1000+ | 1315.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT34F100L Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264, Mounting: THT, Case: TO264, Pulsed drain current: 140A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 21A, On-state resistance: 0.38Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1135W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 305nC, Technology: POWER MOS 8®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT34F100L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT34F100L | Виробник : Microsemi Power Products Group |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
APT34F100L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Pulsed drain current: 140A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 305nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT34F100L | Виробник : MICROSEMI |
TO264-3/35 A, 1000 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT34F100 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT34F100L | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 140A; 1135W; TO264 Mounting: THT Case: TO264 Pulsed drain current: 140A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1135W Polarisation: unipolar Gate charge: 305nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |