APT34F100B2 Microchip / Microsemi
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT34F100B2 Microchip / Microsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT34F100B2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F100B2 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
 APT34F100B2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
| APT34F100B2 | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS8 APT34F100 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
APT34F100B2 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
APT34F100B2 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 34 A TO-247 MAX |
товару немає в наявності |