![APT30GP60BDQ1G APT30GP60BDQ1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/413/TO-247-3-PKG-Series.jpg)
APT30GP60BDQ1G Microchip Technology
![6198-apt30gp60bdq1g-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT PT 600V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 463 W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 607.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT30GP60BDQ1G Microchip Technology
Description: IGBT PT 600V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, Switching Energy: 260µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 463 W.
Інші пропозиції APT30GP60BDQ1G за ціною від 564.18 грн до 1026.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 49A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 165ns Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 463W Technology: POWER MOS 7®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 90nC |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 49A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 165ns Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 463W Technology: POWER MOS 7®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 90nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
APT30GP60BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
APT30GP60BDQ1G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |