![APT25GP90BG APT25GP90BG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/413/TO-247-3-PKG-Series.jpg)
APT25GP90BG Microchip Technology
![5991-apt25gp90b-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 900V 72A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns
Switching Energy: 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 619.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT25GP90BG Microchip Technology
Description: IGBT 900V 72A 417W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns, Switching Energy: 370µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 72 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Power - Max: 417 W.
Інші пропозиції APT25GP90BG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT25GP90BG Код товару: 131306 |
![]() |
товар відсутній
|
|||
![]() |
APT25GP90BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT25GP90BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT25GP90BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 36A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 29ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT25GP90BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
APT25GP90BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Collector current: 36A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 29ns Turn-off time: 190ns Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 900V Pulsed collector current: 110A |
товар відсутній |