![APT25GP120BG APT25GP120BG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/413/TO-247-3-PKG-Series.jpg)
APT25GP120BG Microchip Technology
![5990-apt25gp120b-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns
Switching Energy: 500µJ (on), 438µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 69 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 742.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT25GP120BG Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 69A 417W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/70ns, Switching Energy: 500µJ (on), 438µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 69 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 417 W.
Інші пропозиції APT25GP120BG за ціною від 889.55 грн до 1215.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT25GP120BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 33A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 197ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Kind of package: tube Gate charge: 110nC |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
APT25GP120BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 33A; 417W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 33A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 197ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 417W Technology: POWER MOS 7®; PT Kind of package: tube Gate charge: 110nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
APT25GP120BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |