![APT25GN120BG APT25GN120BG](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/14/5/7/12/969/mcs_/manual/apt5022bn.jpg)
APT25GN120BG Microchip Technology
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT25GN120BG Microchip Technology
Description: IGBT 1200V 67A 272W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns, Switching Energy: 2.15µJ (off), Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 67 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 272 W.
Інші пропозиції APT25GN120BG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT25GN120BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
APT25GN120BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
APT25GN120BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 272W Technology: Field Stop Gate charge: 155nC Kind of package: tube Collector current: 33A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 39ns Turn-off time: 560ns Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 75A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT25GN120BG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT25GN120BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/280ns Switching Energy: 2.15µJ (off) Test Condition: 800V, 25A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 272 W |
товар відсутній |
|
APT25GN120BG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
APT25GN120BG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; TO247-3 Case: TO247-3 Power dissipation: 272W Technology: Field Stop Gate charge: 155nC Kind of package: tube Collector current: 33A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 39ns Turn-off time: 560ns Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 75A |
товар відсутній |