APT20M45BVRG Microchip Technology
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 1517.11 грн |
| 25+ | 1184.73 грн |
| 50+ | 1111.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M45BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 300W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 195nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 224A, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 56A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M45BVRG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT20M45BVRG | Виробник : Microsemi |
 MOSFET Power MOSFET - MOS5 |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
APT20M45BVRG | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT20M45BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 224A Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT20M45BVRG | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER MOSFET MOS5 APT20M45 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT20M45BVRG | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 |
товар відсутній |
|
|
|
APT20M45BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 224A Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |