![APT20M45BVRG APT20M45BVRG](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/1de2e05ac9470f2ff1dfb0f5a7a1b8ea2cc50931/apt5022bn.jpg)
APT20M45BVRG Microchip Technology
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 1517.11 грн |
25+ | 1184.73 грн |
50+ | 1111.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M45BVRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 300W, Technology: POWER MOS 5®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 195nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 224A, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 56A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M45BVRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT20M45BVRG | Виробник : Microsemi |
![]() |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
![]() |
APT20M45BVRG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT20M45BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 224A Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT20M45BVRG | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT20M45BVRG | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT20M45BVRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 300W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 224A Drain-source voltage: 200V Drain current: 56A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |