Технічний опис APT20M36BLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 7®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 65A, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 329W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M36BLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT20M36BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 329W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
APT20M36BLLG | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT20M36BLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 260A; 329W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 7® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 329W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |