APT20M22JVR Microchip Technology
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2486.24 грн |
100+ | 2116.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT20M22JVR Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 200V; 97A; ISOTOP; screw; Idm: 388A; 450W, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 388A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 97A, On-state resistance: 22mΩ, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT20M22JVR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT20M22JVR | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
APT20M22JVR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT20M22JVR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 97A; ISOTOP; screw; Idm: 388A; 450W Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 388A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 97A On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT20M22JVR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT20M22JVR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT20M22JVR | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; single transistor; 200V; 97A; ISOTOP; screw; Idm: 388A; 450W Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 388A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 97A On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |