APT20GN60BG Microsemi


APT20GN60B_S(G)_B-918556.pdf Виробник: Microsemi
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис APT20GN60BG Microsemi

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 24A, Power dissipation: 136W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 0.12µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 19ns, Turn-off time: 290ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції APT20GN60BG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT20GN60BG APT20GN60BG Виробник : Microchip Technology 14986723-apt20gn60b-s-g-b-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT20GN60BG APT20GN60BG Виробник : Microchip Technology 14986723-apt20gn60b-s-g-b-pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 136W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT20GN60BG APT20GN60BG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6723-apt20gn60b-s-g-b-pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 290ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20GN60BG Виробник : MICROSEMI 6723-apt20gn60b-s-g-b-pdf кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20GN60BG APT20GN60BG Виробник : Microsemi Power Products Group 6723-apt20gn60b-s-g-b-pdf Description: IGBT 600V 40A 136W TO247
товар відсутній
APT20GN60BG APT20GN60BG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 6723-apt20gn60b-s-g-b-pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 290ns
товар відсутній