на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 414.83 грн |
100+ | 375.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT18F60B Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: POWER MOS 8®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 65A, Power dissipation: 335W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 370mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 90nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT18F60B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT18F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APT18F60B | Виробник : MICROSEMI |
TO247/POWER FREDFET - MOS8 APT18F60 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
APT18F60B | Виробник : Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
товару немає в наявності |
||
APT18F60B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 65A; 335W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 8® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 335W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |