Технічний опис APT17F100S Microsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; D3PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Case: D3PAK, On-state resistance: 780mΩ, Technology: POWER MOS 8®, Power dissipation: 625W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 150nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 70A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 11A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT17F100S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT17F100S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: D3PAK On-state resistance: 780mΩ Technology: POWER MOS 8® Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
APT17F100S | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT17F100S | Виробник : Microsemi Power Products Group |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
APT17F100S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: D3PAK On-state resistance: 780mΩ Technology: POWER MOS 8® Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 11A |
товар відсутній |