APT14F100B Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 564.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT14F100B Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247 [B], Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT14F100B за ціною від 432.96 грн до 831.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT14F100B | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 14 A TO-247 |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
APT14F100B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Technology: POWER MOS 8® Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 980mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
APT14F100B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Technology: POWER MOS 8® Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 980mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|