APT13GP120BDQ1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector current: 20A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 270ns
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Technology: POWER MOS 7®; PT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 809.75 грн |
| 2+ | 548.38 грн |
| 5+ | 518.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT13GP120BDQ1G MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: IGBT PT 1200V 41A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Supplier Device Package: TO-247 [B], IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns, Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off), Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 55 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції APT13GP120BDQ1G за ціною від 451.83 грн до 971.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT13GP120BDQ1G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector current: 20A Case: TO247-3 Mounting: THT Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Turn-on time: 21ns Turn-off time: 270ns Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Technology: POWER MOS 7®; PT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Kind of package: tube Gate charge: 55nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT13GP120BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT13GP120BDQ1G | Виробник : Microchip / Microsemi |
IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
 |
APT13GP120BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 41A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
APT13GP120BDQ1G | Виробник : Microchip Technology |
Description: IGBT PT 1200V 41A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 9ns/28ns Switching Energy: 115µJ (on), 165µJ (off) Test Condition: 600V, 13A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A Power - Max: 250 W |
товар відсутній |