APT13F120S MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Power dissipation: 625W
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Power dissipation: 625W
Technology: POWER MOS 8®
Pulsed drain current: 50A
Gate charge: 145nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT13F120S MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK, Mounting: SMD, Case: D3PAK, Power dissipation: 625W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 50A, Gate charge: 145nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 9A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 1.2Ω, Gate-source voltage: ±30V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT13F120S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT13F120S | Виробник : MICROSEMI |
D3PAK/13 A, 1200 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT13F120 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT13F120S | Виробник : Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK |
товар відсутній |
||
APT13F120S | Виробник : Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-268 |
товар відсутній |
||
APT13F120S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 50A; 625W; D3PAK Mounting: SMD Case: D3PAK Power dissipation: 625W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 50A Gate charge: 145nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |