![APT13003NZTR-G1 APT13003NZTR-G1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO92-40.jpg)
APT13003NZTR-G1 DIODES INC.
![DIOD-S-A0001248779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 13.17 грн |
69+ | 11.51 грн |
100+ | 9.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT13003NZTR-G1 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - APT13003NZTR-G1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 530 V, 1.5 A, 1 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 530V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції APT13003NZTR-G1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
APT13003NZTR-G1 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
APT13003NZTR-G1 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 900V 1.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |
|
![]() |
APT13003NZTR-G1 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |