![APT10M11JVRU3 APT10M11JVRU3](https://www.mouser.com/images/microsemi/lrg/SOT_227_DSL.jpg)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2570.7 грн |
25+ | 2484.67 грн |
100+ | 2159.88 грн |
250+ | 1872.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10M11JVRU3 Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: POWER MOS 5®, Gate-source voltage: ±30V, Topology: buck chopper, Pulsed drain current: 576A, Case: ISOTOP, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 106A, On-state resistance: 11mΩ, Power dissipation: 450W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10M11JVRU3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT10M11JVRU3 | Виробник : Microsemi |
![]() |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
APT10M11JVRU3 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
APT10M11JVRU3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: buck chopper Pulsed drain current: 576A Case: ISOTOP Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
APT10M11JVRU3 | Виробник : Microsemi Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
APT10M11JVRU3 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: buck chopper Pulsed drain current: 576A Case: ISOTOP Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |