APT100GN120J Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A SOT-227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2870.47 грн |
| 500+ | 2442.52 грн |
| 1000+ | 2077.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT100GN120J Microchip Technology
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B, Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS, Case: SOT227B, Technology: Field Stop; Trench, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 70A, Pulsed collector current: 300A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT100GN120J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
APT100GN120J | Виробник : Microchip / Microsemi | IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| APT100GN120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Case: SOT227B Technology: Field Stop; Trench Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT100GN120J | Виробник : MICROSEMI |
APT100GN120J APT100 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| APT100GN120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS Case: SOT227B Technology: Field Stop; Trench Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 70A Pulsed collector current: 300A |
товар відсутній |