APT10050B2VFRG Microchip Technology
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1950.41 грн |
100+ | 1660.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT10050B2VFRG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A, Case: TO247MAX, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 5®, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 520W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 500nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 84A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 21A, On-state resistance: 0.5Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10050B2VFRG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
||
APT10050B2VFRG | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
||
APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Case: TO247MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 5® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A On-state resistance: 0.5Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT10050B2VFRG | Виробник : MICROSEMI |
T-MAX/POWER FREDFET - MOS5 APT10050 кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||
APT10050B2VFRG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Case: TO247MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 5® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Gate charge: 500nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 21A On-state resistance: 0.5Ω |
товар відсутній |