APT1003RBFLLG Microchip Technology
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 861.22 грн |
10+ | 848.14 грн |
100+ | 676.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT1003RBFLLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3, Case: TO247-3, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 139W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 16A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 4A, On-state resistance: 3Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT1003RBFLLG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
APT1003RBFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A On-state resistance: 3Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
APT1003RBFLLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 4A On-state resistance: 3Ω |
товар відсутній |