APL502B2G Microchip Technology
![6533-apl502b2-apl502lg-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3888.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APL502B2G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 29A, 12V, Power Dissipation (Max): 730W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: T-MAX™ [B2], Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APL502B2G за ціною від 3026.5 грн до 4182 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
APL502B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
APL502B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
APL502B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
APL502B2G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
APL502B2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 58A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 730W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
APL502B2G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
APL502B2G | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 58A Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 730W Case: TO247MAX Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |