![AOU2N60 AOU2N60](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3C/FA/70/00/0/503747_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=ca5d94c64335ccbcf8d9f4d20956c0175edd42fa)
AOU2N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
![AOU2N60-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 29.41 грн |
25+ | 23.43 грн |
42+ | 20.35 грн |
116+ | 19.26 грн |
2000+ | 18.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOU2N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOU2N60 за ціною від 13.58 грн до 35.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOU2N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
AOU2N60 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AOU2N60 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
AOU2N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AOU2N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AOU2N60 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
товар відсутній |