![AOTF16N50 AOTF16N50](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A1/8E/00/00/0/59418_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=263cfba794860b61634ab5d386e1ae684a34b3d1)
AOTF16N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
![TO220F.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 109.2 грн |
5+ | 90.38 грн |
11+ | 79.36 грн |
31+ | 74.95 грн |
500+ | 72.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOTF16N50 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOTF16N50 за ціною від 55.91 грн до 131.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOTF16N50 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 42.8nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
AOTF16N50 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
AOTF16N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AOTF16N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AOTF16N50 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V |
товар відсутній |