![AOT5N100 AOT5N100](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/fe7a5c1fe4d8c10df90998ba5c42bf14220611c4/aot1608l.jpg)
AOT5N100 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 46.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT5N100 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOT5N100 за ціною від 49.75 грн до 49.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOT5N100 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
AOT5N100 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
![]() |
AOT5N100 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
AOT5N100 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; 195W; TO220 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 4.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO220 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
AOT5N100 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
AOT5N100 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.5A; 195W; TO220 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 4.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195W Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: TO220 |
товар відсутній |