AOT412 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 80.54 грн |
13+ | 66.62 грн |
35+ | 62.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT412 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOT412 за ціною від 75.56 грн до 116.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT412 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 75W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 44A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
AOT412 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||
AOT412 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||
AOT412 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 50 V |
товар відсутній |