![AOT410L AOT410L](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/785%3BPO-00015%3B%3B3.jpg)
AOT410L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
![AOT410L.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 134.3 грн |
50+ | 103.77 грн |
100+ | 85.37 грн |
500+ | 72.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT410L Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/150A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V.
Інші пропозиції AOT410L за ціною від 67.02 грн до 178.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOT410L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220 Polarisation: unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Gate charge: 107nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO220 Drain-source voltage: 100V Drain current: 108A On-state resistance: 6.5mΩ |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOT410L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 167W; TO220 Polarisation: unipolar Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Gate charge: 107nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Case: TO220 Drain-source voltage: 100V Drain current: 108A On-state resistance: 6.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
AOT410L | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
AOT410L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AOT410L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |