AOT286L Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT286L Alpha & Omega Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO220, Case: TO220, On-state resistance: 6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: THT, Drain current: 55A, Power dissipation: 83W, Drain-source voltage: 80V, Gate charge: 44.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції AOT286L за ціною від 58.97 грн до 64.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOT286L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
AOT286L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 3876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
AOT286L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO220 Case: TO220 On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Drain current: 55A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 80V Gate charge: 44.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
 |
AOT286L | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N CH 80V 13A TO220 |
товар відсутній |
|||||||
|
|
AOT286L | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO220 Case: TO220 On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Drain current: 55A Power dissipation: 83W Drain-source voltage: 80V Gate charge: 44.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar |
товар відсутній |