AOT1N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.37 грн |
| 50+ | 27.14 грн |
| 100+ | 19.7 грн |
| 500+ | 15.44 грн |
| 1000+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOT1N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 650mA, 10V, Power Dissipation (Max): 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V.
Інші пропозиції AOT1N60 за ціною від 15 грн до 42.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AOT1N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.9A Power dissipation: 41.7W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AOT1N60 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.9A; 41.7W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.9A Power dissipation: 41.7W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 731 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOT1N60 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 9Ohm; 1,3A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; AOT1N60 TAOT1n60 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|