AOSP36326C

AOSP36326C Alpha & Omega Semiconductor Inc.


Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOSP36326C Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AOSP36326C за ціною від 7.96 грн до 22.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOSP36326C AOSP36326C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+18.99 грн
29+ 12.79 грн
89+ 9.3 грн
244+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 21
AOSP36326C AOSP36326C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 73215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.13 грн
17+ 18.08 грн
100+ 12.52 грн
500+ 9.18 грн
1000+ 7.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
AOSP36326C AOSP36326C Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.79 грн
25+ 15.93 грн
89+ 11.15 грн
244+ 10.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
AOSP36326C Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aosp36326c.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній