AONS62614 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 78.59 грн |
6000+ | 74.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AONS62614 Alpha & Omega Semiconductor
Description: N, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AONS62614
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AONS62614 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 60V N-Channel AlphaSGT TM |
товар відсутній |
||
AONS62614 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | 60V N-Channel AlphaSGT TM |
товар відсутній |
||
AONS62614 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 47.5W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 47.5W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
AONS62614 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 30 V |
товар відсутній |
||
AONS62614 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 47.5W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 47.5W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |