AONS36306

AONS36306 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AONS36306.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58 грн
10+ 34.64 грн
100+ 22.4 грн
500+ 16.07 грн
1000+ 14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AONS36306 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції AONS36306

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aons36306.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
AONS36306 AONS36306 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36306.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A/63A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товар відсутній