AON7522E Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 8078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 470+ | 25.22 грн |
| 588+ | 20.17 грн |
| 592+ | 20.04 грн |
| 704+ | 16.25 грн |
| 1000+ | 13.97 грн |
| 3000+ | 12.38 грн |
| 6000+ | 11.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7522E Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON7522E за ціною від 10.55 грн до 37.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AON7522E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP |
на замовлення 8078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
AON7522E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V |
на замовлення 4677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
AON7522E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
AON7522E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
AON7522E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin DFN-A EP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
AON7522E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 12W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Power dissipation: 12W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
AON7522E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 12W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Power dissipation: 12W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |