![AON7264E AON7264E](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/F4/8E/00/00/0/59471_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=75bd9f2f42aa53b992c5bf26dbb8063ff322f1c5)
AON7264E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
![AON7264E.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 11W; DFN3x3 EP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 11W
Case: DFN3x3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.23 грн |
18+ | 20.57 грн |
21+ | 18.08 грн |
51+ | 17.05 грн |
100+ | 16.24 грн |
140+ | 16.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON7264E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 27.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.
Інші пропозиції AON7264E за ціною від 18.6 грн до 62.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON7264E | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 11W; DFN3x3 EP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Power dissipation: 11W Case: DFN3x3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 393 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON7264E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AON7264E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AON7264E | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 27.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN-EP (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V |
товар відсутній |