![AON6314 AON6314](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/08/30/B0/00/0/721792_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=fc91acb6de6fde7a26aa581725d248c77d2973d5)
AON6314 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
![AON6314.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 13W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 13W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.23 грн |
18+ | 20.72 грн |
25+ | 18.22 грн |
51+ | 17.05 грн |
100+ | 16.31 грн |
140+ | 16.09 грн |
500+ | 15.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6314 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON6314 за ціною від 18.52 грн до 62.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AON6314 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 13W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 13W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AON6314 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
AON6314 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
AON6314 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V |
товар відсутній |