AON6312 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 32.06 грн |
| 6000+ | 31.21 грн |
| 9000+ | 29.92 грн |
| 15000+ | 27.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6312 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON6312 за ціною від 19.48 грн до 72.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AON6312 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AON6312 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 83A On-state resistance: 1.85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DFN5x6 |
на замовлення 3362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AON6312 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 83A; 20W; DFN5x6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 83A On-state resistance: 1.85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DFN5x6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AON6312 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
AON6312 Код товару: 163787 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
AON6312 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AON6312 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 130A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AON6312 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
товар відсутній |