![AOI4185 AOI4185](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/11/9/8/5/19/814/aos_/manual/aoi208.jpg)
AOI4185 Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 19.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOI4185 Alpha & Omega Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 40A TO251A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251A, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 20 V.
Інші пропозиції AOI4185 за ціною від 16.77 грн до 56.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOI4185 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AOI4185 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AOI4185 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -31A; 31W; TO251A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -31A Power dissipation: 31W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 18.6nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AOI4185 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -31A; 31W; TO251A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -31A Power dissipation: 31W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 18.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
AOI4185 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
AOI4185 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 20 V |
товар відсутній |