![AOD2910 AOD2910](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/16/7E/00/00/0/59233_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=85a92da44426a86680dc5a939d6fe19e96293048)
AOD2910 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
![AOD2910.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.5A; 53.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.5A
Power dissipation: 53.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.23 грн |
15+ | 25.86 грн |
25+ | 20.94 грн |
46+ | 18.66 грн |
126+ | 17.71 грн |
500+ | 17.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AOD2910 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N CH 100V 6.5A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 53.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AOD2910 за ціною від 20.99 грн до 62.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOD2910 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.5A; 53.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.5A Power dissipation: 53.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AOD2910 | Виробник : ALPHA&OMEGA |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
AOD2910 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AOD2910 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
AOD2910 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 53.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 15 V |
товар відсутній |