AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1751.25 грн |
| 30+ | 1398.01 грн |
| 120+ | 1310.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 319W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMZA75R016M1HXKSA1 за ціною від 1072.55 грн до 1874.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMZA75R016M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|