на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2169.31 грн |
10+ | 2136.7 грн |
25+ | 1640.03 грн |
50+ | 1606.88 грн |
100+ | 1537.75 грн |
240+ | 1499.66 грн |
480+ | 1380.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +23V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMW120R060M1HXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AIMW120R060M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |