![AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TO-247-3_SPL.jpg)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1660.28 грн |
10+ | 1493.9 грн |
25+ | 1109.49 грн |
50+ | 1108.09 грн |
100+ | 1050.94 грн |
240+ | 968.01 грн |
480+ | 963.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 228W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMW120R045M1XKSA1 за ціною від 1581.83 грн до 2113.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 130A Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Mounting: THT Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 130A Case: TO247 |
товар відсутній |