Продукція > INFINEON > AIMDQ75R140M1HXUMA1
AIMDQ75R140M1HXUMA1

AIMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON

4015357.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+357.62 грн
50+ 318.49 грн
100+ 281.45 грн
250+ 265.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMDQ75R140M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AIMDQ75R140M1HXUMA1 за ціною від 205.04 грн до 524.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 4015357.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+460.03 грн
5+ 408.83 грн
10+ 357.62 грн
50+ 318.49 грн
100+ 281.45 грн
250+ 265.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMDQ75R140M1H_DataSheet_v02_01_EN-3387174.pdf MOSFETs Y
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.92 грн
10+ 374.95 грн
100+ 255.76 грн
750+ 218.08 грн
2250+ 205.77 грн
4500+ 205.04 грн
AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+503.95 грн
10+ 327.93 грн
100+ 238.76 грн
AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aimdq75r140m1h-datasheet-v02_01-en.pdf AUTOMOTIVE_SICMOS
товар відсутній
AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній