Продукція > INFINEON > AIMDQ75R008M1HXUMA1
AIMDQ75R008M1HXUMA1

AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON

4015354.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+2702.3 грн
50+ 2425.52 грн
100+ 2162.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AIMDQ75R008M1HXUMA1 за ціною від 2102.77 грн до 3287.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 4015354.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3224.57 грн
5+ 2963.43 грн
10+ 2702.3 грн
50+ 2425.52 грн
100+ 2162.3 грн
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMDQ75R008M1H_DataSheet_v02_00_EN-3387166.pdf MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3287.71 грн
10+ 2887.87 грн
25+ 2361.65 грн
50+ 2282.65 грн
100+ 2204.35 грн
250+ 2136.63 грн
500+ 2102.77 грн
AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies AUTOMOTIVE_SICMOS
товар відсутній